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湖南大學和新加坡國立大學Nano Energy:次氯酸鈉化學活化MoS2高效制氫

2019-01-11 18:08  來源: 新能源前線  瀏覽:  

【引言】
二維層狀材料二硫化鉬(MoS2)作為一種很有前景的析氫反應(HER)催化劑,通常被認為是電解水制氫中鉑(Pt)催化劑的良好替代品。大多數(shù)過渡金屬硫化物(TMDs)的催化活性位點往往在材料的邊緣之前報道過的MoS2在其晶體和無定形形式中,都具有良好的電催化活性。理論和實驗表明氫離子吸附的吉布斯自由能在MoS2的邊緣接近于零,但是其基面往往具有催化惰性。然而,制備具有大量邊緣活性位點的單晶MoS2仍然具有挑戰(zhàn)性。最近的研究集中在利用MoS2納米顆粒、垂直納米薄片、納米線、富含缺陷的薄膜和中孔結(jié)構(gòu)來增加MoS2邊緣活性位點??涛g是一種有效的自上而下的在原子級別上調(diào)節(jié)TMDs結(jié)構(gòu)的方法,通過獲得的新邊緣和納米級孔隙,來調(diào)控MoS2結(jié)構(gòu)。本文展示了一種簡單且非侵蝕性的方法,用次氯酸鈉(NaClO)溶液各向異性地蝕刻MoS2,借助O2 plasma預處理,在其表面制備大量的HER活性位點。
【成果簡介】
近日,中國湖南大學的王雙印教授和劉松教授,以及新加坡國立大學的Slaven Garaj教授(通訊作者)等人,開發(fā)了一種有效的、可擴展的方法,用次氯酸鈉(NaClO)溶液各向異性蝕刻MoS2,顯著地改變其邊緣結(jié)構(gòu)。另外,將材料用氧等離子體(O2 plasma)預處理,可以增強其電催化析氫反應效率,原因是化學刻蝕首先發(fā)生在O2 plasma預處理制造的隨機缺陷位點,將MoS2表面刻蝕成大量均一的三角形刻蝕坑,從而增加了材料表面的氫離子吸附位點。在該實驗中,化學活化的MoS2(ca-MoS2)被系統(tǒng)地表征和優(yōu)化。優(yōu)化的ca-MoS2粉末,表現(xiàn)出增強的HER性能,在0.5 mA·cm-2的電流密度下,具有0.34 V的過電勢,Tafel斜率均小于其他材料。該化學蝕刻方法為在原子結(jié)構(gòu)修飾TMDs提供了一種新方法,可以調(diào)控層狀TMDs電化學性質(zhì)和新型晶體管制造。相關成果以“Chemically Activated MoS2 for Efficient Hydrogen Production”為題發(fā)表在Nano Energy上。
【圖文導讀】
圖 1 NaClO溶液化學活化的MoS2納米片結(jié)構(gòu)表征
 (a)NaClO溶液化學活化MoS2納米片的示意圖;
(b-e)0.03 mol·L-1NaClO溶液蝕刻機械剝離的MoS2納米片10,20和30分鐘前后AFM圖像(插圖:相應的光學圖像);
(f)刻蝕長度與時間的關系圖。
圖 2 MoS2經(jīng)NaClO化學活化后邊緣形態(tài)分析
 (a)NaClO化學活化后,MoS2邊緣形態(tài)的AFM圖像;
(b)化學活化后,邊緣角度分布的直方圖;
(c)頂視圖觀察,刻蝕后邊緣椅式結(jié)構(gòu)的MoS2示意圖;
(d)MoS2納米片在化學刻蝕前后及刻蝕后邊緣和基面區(qū)域的拉曼光譜比較圖(插圖:405 cm-1處的拉曼強度映射圖)。
圖 3 O2 plasma預處理對MoS2刻蝕的作用分析
 (a)O2 plasma在MoS2基面上制造缺陷示意圖;
(b)MoS2經(jīng)60秒O2 plasma預處理后,NaClO化學刻蝕20分鐘的AFM圖像;
(c)MoS2表面刻蝕形成的tringle凹坑的原子結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖 4 化學活化的MoS2(ca-MoS2)粉末的電化學活性分析
 (a)原始MoS2粉末經(jīng)過O2plasma預處理10分鐘后,分別刻蝕5 分鐘、10 分鐘的LSV曲線;
(b)圖a樣品的塔菲爾曲線圖。
【總結(jié)】
本文成功開發(fā)出一種有效的、非侵蝕性的MoS2化學活化方法。低濃度的NaClO溶液各向異性地將MoS2刻蝕成特殊形狀。對于無缺陷的MoS2晶體,刻蝕從樣品邊緣開始;對基面上存在點缺陷的樣品,刻蝕從缺陷部位開始,形成三角形凹坑。缺陷工程可以獲得MoS2基面上的高密度三角形凹坑,增加了材料的電催化活性位點。該材料顯示出增強的HER催化性能,具有較低的過電勢和Tafel斜率。這種簡單的溶液活化方法,可用于調(diào)整2D材料的原子結(jié)構(gòu)及其相應的電子、光學、磁性和催化性質(zhì);文中提出的液相表面化學反應也可以應用于其他層狀2D材料。
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