據(jù)外媒報道，由一個晶體組成的碘化亞銅的無缺陷薄膜已經(jīng)由RIKEN的物理學家制造出來。原子平面樣品是生產出更好半導體的推動力。半導體是許多光電設備的核心，包括激光器和發(fā)光二極管(LED)。工程師們希望將碘化亞銅用于半導體，因為它是一種極好的導體，在室溫以上仍能保持穩(wěn)定。

問題是很難制造出一層真正沒有雜質的碘化亞銅薄膜。通常的方法是從溶液中沉淀膠片。“但這個解決方法不能用碘化亞銅制造出高質量的薄膜，”RIKEN新興物質科學中心的Masao Nakamura指出。

相反，Nakamaru和他的同事們使用了一種被稱為分子束外延的替代技術，在這種技術下，薄膜在高溫和真空條件下在基片上逐漸生長。分子束外延技術已廣泛應用于半導體生產中。但碘化亞銅很難被使用，因為這種材料極易揮發(fā)--這意味著它在處理過程中很容易蒸發(fā)而不會沉淀成薄膜。為了克服這個困難，研究小組開始在較低的溫度下培養(yǎng)薄膜然后再提高溫度。“我們新開發(fā)的這兩步流程非常有效，”Nakamura說道。

攝制組還有另一種提高影片質量的方法。他們選擇砷化銦作為襯底，因為它的晶格間距跟碘化亞銅非常相似。“如果晶格間距不能很好地匹配，材料中就會形成許多缺陷，”Nakamura指出。

隨后，中村和他的同事們用一種名為光致發(fā)光光譜的技術測試了樣品的純度，這種技術涉及在材料表面發(fā)射光子或光粒子。這些光子被材料吸收，激發(fā)其電子到更高的能量狀態(tài)并引發(fā)它們發(fā)射新的光子。監(jiān)測發(fā)射的光使研究小組得以確定他們已經(jīng)創(chuàng)造了一個沒有缺陷的單晶薄膜。Nakamura說道：“我們希望使用我們的方法提高質量。不過結果超出我們的預期。”

Nakamaru和他的團隊現(xiàn)在計劃將不同鹵化物制成的半導體夾在一起并研究產生的新特性。他說道：“我們將探索鹵素界面的新功能和物理特性。”